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(19)中华 人民共和国 国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202111454890.X (22)申请日 2021.12.01 (71)申请人 中国科学院深圳先进技 术研究院 地址 518055 广东省深圳市南 山区深圳大 学城学苑大道1068号 (72)发明人 赛高乐 欧勇盛 段圣宇 王志扬 徐升 熊荣 刘超 江国来 郑雷雷 冯伟 (74)专利代理 机构 深圳市威世博知识产权代理 事务所(普通 合伙) 44280 代理人 何倚雯 (51)Int.Cl. G06F 30/30(2020.01) G06F 30/20(2020.01) G06F 119/02(2020.01)G06F 119/08(2020.01) (54)发明名称 集成电路的寿命 预测方法、 装置及计算机可 读存储介质 (57)摘要 本申请公开了一种集成电路的寿命预测方 法、 装置及计算机可读 存储介质。 该方法包括: 获 取参照集 成电路的预估寿命, 以及获取所述参照 集成电路在设定老化阶段对应的第一时长; 获取 待测集成电路在相同的所述老化阶段对应的第 二时长; 根据所述预估寿命、 所述第一时长以及 所述第二时长, 预测所述待测集成电路的寿命; 其中, 所述参照集成电路与所述待测集成电路为 同种规格的集成电路, 所述参照集成电路和所述 待测集成电路包括多个老化阶段, 所述参照集成 电路的多个老化阶段与所述待测集成电路的多 个老化阶段一一对应, 且相对应老化阶段的最大 供电电压相同。 通过上述方式, 本申请能够简化 集成电路寿命 预测方式, 并提高预测结果的准确 度。 权利要求书2页 说明书7页 附图4页 CN 114282463 A 2022.04.05 CN 114282463 A 1.一种集成电路的寿命预测方法, 其特 征在于, 所述方法包括: 获取参照 集成电路的预估寿命, 以及获取所述参照 集成电路在设定老化阶段对应的第 一时长; 获取待测集成电路在相同的所述老化阶段对应的第二时长; 根据所述预估寿命、 所述第一时长以及所述第二时长, 预测所述待测集成电路的寿命; 其中, 所述参照集成电路与所述待测集成电路为同种规格的集成电路, 所述参照集成 电路和所述待测集成电路包括多个老化阶段, 所述参照集成电路的多个老化阶段与所述待 测集成电路的多个老化阶段一 一对应, 且相对应老化阶段的最大 供电电压相同。 2.根据权利要求1所述的方法, 其特征在于, 所述获取参照集成电路的预估寿命, 以及 获取所述参照集成电路在设定老化阶段对应的第一时长, 包括: 对所述参照集成电路进行老化试验, 记录每个老化阶段对应的时长, 并记录所述参照 集成电路的总工作时长; 选择其中一个所述老化阶段作为所述设定老化阶段, 以所述设定老化阶段对应的时长 作为所述第一时长, 并以所述总工作时长作为所述预估寿命。 3.根据权利要求1所述的方法, 其特征在于, 所述根据所述预估寿命、 所述第一时长以 及所述第二时长, 预测所述待测集成电路的寿命, 包括: 根据所述预估寿命与 所述待测集成电路的寿命比值, 与 所述第一时长和第 二时长的比 值相等的关系, 得 出所述待测集成电路的寿命。 4.根据权利要求3所述的方法, 其特征在于, 所述根据所述预估寿命与 所述待测集成电 路的寿命比值, 与所述第一时长和第二时长的比值相等的关系, 得出所述待测集成电路的 寿命, 包括: 根据下式计算所述待测集成电路的寿命: 其中, LifeTimeest为所述待测集成电路的寿命, LifeTimeref为所述预估寿命, test为所 述第二时长, tref为所述第一时长 。 5.根据权利要求1所述的方法, 其特征在于, 所述多个老化阶段根据电压调 整系统对所 述最大供电电压的调整 而形成。 6.一种集成电路寿命预测装置, 其特 征在于, 所述装置包括: 获取模块, 用于获取参照集成电路的预估寿命、 所述参照集成电路在设定老化阶段对 应的第一时长、 以及待测集成电路在相同的所述老化阶段对应的第二时长; 寿命预测模块, 用于根据 所述预估寿命、 所述第 一时长以及所述第二 时长, 预测所述待 测集成电路的寿命。 7.根据权利要求6所述的装置, 其特征在于, 所述装置还包括试验模块, 用于对所述参 照集成电路进行老化试验, 记录每个老化阶段对应的时长, 并记录所述参照集成电路的总 工作时长; 所述获取模块还用于选择其中一个所述老化阶段作为所述设定老化阶段, 获取所述设 定老化阶段 经历的事 件作为所述第一时长, 并获取 所述总工作时长作为所述预估寿命。 8.根据权利要求6所述的装置, 其特征在于, 所述寿命预测模块还用于根据所述预估寿权 利 要 求 书 1/2 页 2 CN 114282463 A 2命与所述待测 集成电路的寿命比值, 与所述第一时长和第二时长的比值相等的关系, 得出 所述待测集成电路的寿命。 9.一种集成电路寿命预测装置, 其特征在于, 所述集成电路寿命预测装置包括相互耦 接的处理器和存储器; 所述存储器中存储有计算机程序, 所述处理器用于执行所述计算机 程序以实现如权利要求1 ‑5中任一项所述方法的步骤。 10.一种计算机可读存储介质, 其特征在于, 所述计算机可读存储介质存储有程序数 据, 所述程序数据被处 理器执行时实现如权利要求1 ‑5中任一项所述方法的步骤。权 利 要 求 书 2/2 页 3 CN 114282463 A 3
专利 集成电路的寿命预测方法、装置及计算机可读存储介质
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